3nm不上GAA 坚持FinFET技术 台积电 最佳成本选择
发布时间：2022-01-15 21:33:31 所属栏目：数码 来源：互联网
导读：在3nm节点，三星为了跟台积电竞争，激进地选择了下一代的GAA晶体管技术，台积电方面更稳妥一些，第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺，好处是今年下半年就可以量产。 在今天的财报会上，台积电也解释了他们的3nm工艺的进展，强调3nm工艺发展顺利，正按照计划
|
在3nm节点，三星为了跟台积电竞争，激进地选择了下一代的GAA晶体管技术，台积电方面更稳妥一些，第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺，好处是今年下半年就可以量产。 在今天的财报会上，台积电也解释了他们的3nm工艺的进展，强调3nm工艺发展顺利，正按照计划在下半年量产。 台积电强调，3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在，能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本。 据台积电官方资料显示，台积电的3nm相比上一代的5nm工艺，在逻辑密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。 此外，台积电也透漏了增强版的3nm工艺N3E，称它会在3nm工艺量产一年后量产，也就是在2023年推出，会带来更强的性能。 不过台积电对N3E的技术细节还是保密，没有透漏是否会升级晶体管架构。 （编辑：ASP站长） 【免责声明】本站内容转载自互联网，其相关言论仅代表作者个人观点绝非权威，不代表本站立场。如您发现内容存在版权问题，请提交相关链接至邮箱：bqsm@foxmail.com，我们将及时予以处理。 |
相关内容
未处理完善
-
无相关信息
最新更新