丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底
发布时间：2022-03-19 06:09:12 所属栏目：动态 来源：互联网
导读：丰田合成 Toyoda Gosei 与大阪大学合作，成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底。 GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳中和的目标，GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望，因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬
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丰田合成 Toyoda Gosei 与大阪大学合作，成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底。 GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳中和的目标，GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望，因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底，以实现更高的生产效率（降低成本）。 在日本环境省牵头的一个项目中，丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法，来制造高质量的 GaN 衬底，成功制造出了 6 英寸的衬底，为目前世界最大的衬底。 丰田合成接下来将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估，继续提高质量，并继续增加直径尺寸，有望超过 6 英寸。 （编辑：ASP站长） 【免责声明】本站内容转载自互联网，其相关言论仅代表作者个人观点绝非权威，不代表本站立场。如您发现内容存在版权问题，请提交相关链接至邮箱：bqsm@foxmail.com，我们将及时予以处理。 |
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