宽禁带半导体为何能成为第三代半导体

意法半导体(ST)新材料和电源方案事业部的创新和关键项目战略营销总监Filippo Di Giovanni预测：“随着GaN技术向更小的工艺节点演进，在达到0.15μm栅长时，GaN将挑战GaAs器件在便携式无线应用中的主导地位。”

我国先进的光刻机可能在短期内无法突破，在如果只是光刻0.15μm（150nm）的光刻机还是没有问题的。

（编辑：ASP站长）

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